TaC покрит LED епи сусцептор

LED еписусцепторът с TaC покритие използва технология за покритие от танталов карбид (TaC) с висока чистота, която е специално разработена за MOCVD (метално-органично химическо отлагане от пари) оборудване и е подходяща за процес на високотемпературно отлагане на LED епитаксиални пластини. Продуктът има отлична устойчивост на високи температури, устойчивост на корозия и термична стабилност, което може значително да намали замърсяването и отделянето на частици, както и да удължи експлоатационния живот. Той е идеален избор за подобряване на добива и ефективността на производството на LED епитаксиални пластини.

Приложение:

TaC покритият LED еписусцептор е специално проектиран за MOCVD оборудване и се използва главно в производството на LED епитаксиални пластини, особено за епитаксиален растеж на сини и ултравиолетови светодиоди на базата на галиев нитрид (GaN). Той може също така да отговори на производствените нужди на силови полупроводникови устройства SiC/GaN и е подходящ за високотемпературни CVD, MBE и други експерименти с отлагане на материали в научноизследователски институти.

Услуги, които могат да бъдат предоставени:

анализ на сценарии на клиентски приложения, съчетаване на материали, решаване на технически проблеми.

Профил на компанията:

Semixlab разполага с 2 лаборатории, екип от експерти с 20 години опит в материалите, с възможности за научноизследователска и развойна дейност, производство, тестване и проверка.

Технически параметри

Основни полета за прилагане

Одобрение за проверка на екологичната верига

Екологичната верига на Semixlab TaC coated LED epi susceptor обхваща целия процес - от суровините до производството, преминал е международен стандартен сертификат и разполага с редица патентовани технологии, гарантиращи неговата надеждност и устойчивост в областта на полупроводниците и новите енергийни технологии.

Типичен процес на кандидатстване

Подготовка на суровината (инспекция на графит с висока чистота) → Изработка на основата (изостатично пресоване) → Процес на нанасяне на TaC покритие (CVD отлагане) → Последваща обработка (прецизно полиране) → Контрол на качеството → Опаковане и доставка

С развитието на LED технологията към по-малки размери и по-висока прецизност, като например Mini LED и Micro LED, изискванията за стабилност и контрол на процеса на MOCVD оборудване стават все по-високи. Насърчаването на TaC покрития с LED еписусцептор може не само да подобри ефективността на съществуващото LED производство, но и да осигури по-надеждна производствена основа за следващото поколение дисплейни технологии.

За подробни технически спецификации, информационни документи или договорености за тестване на проби, моля, свържете се с нашия екип за техническа поддръжка, за да обсъдите как Semixlab може да подобри ефективността на вашите процеси.

Предимства на Semixlab TaC покрито LED epi susceptor ядро

Устойчивост на свръхвисоки температури

LED епитаксиалните сусцептори с TaC покритие са изработени от високочист танталов карбид, който може да работи стабилно дълго време във високотемпературна среда над 1200°C. Дори при екстремни температурни условия на MOCVD процеса, покритието няма да се напука или отлепи, което осигурява еднородност и консистентност на епитаксиалния процес на растеж и ефективно подобрява добива на продукта.

Отлична устойчивост на корозия

По време на производствения процес на LED епитаксиални пластини, токоприемникът трябва да бъде изложен на корозивни газови среди като H2 и NH3 за дълго време. TaC покритието има изключително силна химическа инертност и може ефективно да устои на газова ерозия и да предотврати примеси, генерирани от окисление или реакция, като по този начин гарантира чистотата и оптоелектронните характеристики на епитаксиалната пластина.

Ниска термична деформация

Коефициентът на термично разширение на TaC покритието е силно съпоставен с този на графитната подложка и токоприемникът може да поддържа изключително ниска скорост на термична деформация дори при бързо покачване и понижаване на температурата. Тази характеристика може значително да намали риска от епитаксиално изкривяване на пластината, да осигури равномерен растеж на епитаксиалния слой и да подобри консистенцията на продукта.

Високо покритие на повърхността

Повърхността на токоприемника е прецизно полирана, като грапавостта е контролирана под 0.5 μm, което ефективно намалява процента на дефекти по време на епитаксиален растеж. Гладката повърхност може също да намали адхезията между епитаксиалната пластина и токоприемника, което улеснява отстраняването ѝ и намалява риска от счупване на пластината.

Дизайн с дълъг живот

В сравнение с традиционните графитни токоприемници, TaC покритието има по-добра износоустойчивост и устойчивост на корозия, а експлоатационният му живот може да се увеличи повече от 3 пъти. Това не само намалява честотата на подмяна на консумативи, но и намалява колебанията в процеса, причинени от стареенето на токоприемника, което може значително да намали производствените разходи в дългосрочен план.