EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Полупроводникова кварцова вана
Бърз детайл:
1. Други имена: Полупроводников кварцов резервоар, кварцова вана за полупроводници, кварцов резервоар за полупроводници.
2. Приложение: Полупроводниковата кварцова баня е високочист, устойчив на корозия компонент, специално проектиран за прецизно почистване и химическа обработка в производството на полупроводници. Проектирана за съвместимост със системата WS-620C/WS-820C/WS-820L, тази кварцова баня работи при условия на висока температура (до 175°C) и е оптимизирана за употреба с разтвори на фосфорна киселина (H₃PO₄), осигурявайки изключителна производителност при критични процеси на почистване на пластини.
3. Основни параметри:
Разтопен кварц (>99.99% SiO₂).
Изключителна химическа инертност към H₃PO₄ (фосфорна киселина) при повишени температури, предотвратяваща разграждането или образуването на частици.
Издържа на непрекъсната работа при 160°C и пикови температури от 175°C, като запазва структурната си цялост и размерната си стабилност.
Описание
Полупроводниковата кварцова баня е високочист, устойчив на корозия компонент, специално проектиран за прецизно почистване и химическа обработка в производството на полупроводници. Проектирана за съвместимост със системата WS-620C/WS-820C/WS-820L, тази кварцова баня работи при условия на висока температура (до 175°C) и е оптимизирана за употреба с разтвори на фосфорна киселина (H₃PO₄), осигурявайки изключителна производителност при критични процеси на почистване на пластини.
Основни функции
Материално превъзходство
Високочист кварц: Изработен от синтетичен разтопен кварц (>99.99% SiO₂), осигуряващ минимално замърсяване и устойчивост на термичен шок.
Киселинна устойчивост
Изключителна химическа инертност към H₃PO₄ (фосфорна киселина) при повишени температури, предотвратяваща разграждането или образуването на частици.
Термична стабилност
Издържа на непрекъсната работа при 160°C и пикови температури от 180°C, като запазва структурната си цялост и размерната си стабилност.
Предимства на производителността
Контрол на замърсяването: Ултрагладката повърхностна обработка минимизира адхезията на частици, което е от решаващо значение за процесите на субмикронни полупроводникови възли.
Дълголетие: Устойчивостта на кварца на киселинна корозия и термична умора удължава експлоатационния живот, намалявайки времето за престой и разходите за поддръжка.
Последователност на процеса: Стабилната топлопроводимост осигурява равномерно разпределение на температурата, повишавайки ефективността на почистването и повторяемостта.
Защо да изберете полупроводниковата кварцова вана на Semixlab?
Качество от полупроводников клас: Произведено в чиста стая, за да отговаря на SEMI стандартите.
Персонализирани решения: Предлагат се персонализирани дизайни, които отговарят на специфичните изисквания на процеса.
Надеждност: Строгите тестове за качество гарантират съответствие с изискванията на полупроводниковата индустрия.
Характеристики
| Механично свойство | Плътност (g/cm3) | 2.2 |
| Твърдост по Мос | 6-7 | |
| Якост на натиск (MPa) | 1100 | |
| Якост на опън (N/mm2) | 50 | |
| Якост на огъване (N/mm2) | 65 | |
| Якост на усукване (N/mm2) | 30 | |
| Модул на Юнг (MPa) | 7.2x104 | |
| Отношението на Поасон | 0.16 | |
| Топлинни свойства | Коефициент на термично разширение (20~320℃,k-1) | 5.5x10-7 |
| Топлопроводимост (20℃, W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Специфична топлина (20℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Точка на омекване (℃) | 1700 | |
| Точка на отгряване (℃) | 1180 | |
| Точка на опън (℃) | 1080 | |
| Електрическа собственост | Електрическо съпротивление (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Диелектрична константа (10 GHz) | 3.74 | |
| Диелектрични загуби (10 GHz) | 0.0002 | |
| Диелектрична якост (V·m-1) | 3.7x107 |
Приложения
Почистване на пластини: Премахване на фоторезист, остатъци и замърсители в разтвори на базата на H₃PO₄ след ецване или литография.
Високотемпературни процеси: Подходящи за напреднали етапи на производство на полупроводници, изискващи агресивни химични процеси при повишени температури.
Съвместимост: Идеална за системи WS-620C/ WS-820C/ WS-820L във фабрики, произвеждащи логически компоненти, памет или захранващи устройства.
