EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC кристална суровина за растеж
| Място на произход: | Китай |
| Марка Име: | Semixlab |
| Номер на модела: | CVD SiC |
| Сертификация: | ISO 9001 |
| Минимално количество за поръчка: | Няколко кг (подкрепа за закупуване на малки партиди на ниво научноизследователска и развойна дейност) |
| Цена: | Персонализирайте офертите според спецификациите, поддържайки поръчки с висока чистота (≥99.9999%) |
| Опаковки Детайли: | Бутилка, запечатана с инертен газ с висока чистота, влагоустойчива и антиокислителна торбичка от алуминиево фолио |
| Време за доставка: | 7-15 дни (стандартно) / 20-30 дни (персонализирана формула) |
| Условия за плащане: | T/T (50% предварително, 50% преди доставка) |
| Доставка умение: | Месечен производствен капацитет 500 кг, поддържа поръчки с висока чистота (≥99.9999%) |
Описание
Суровината за растеж на SiC кристали е най-новият усъвършенстван материал, разработен от Semixlab. Основният компонент е CVD SiC блок. Качеството на монокристалите SiC, получени от тази суровина, е отлично и е на водещо ниво в индустрията.
Ярко ядро на продукта
Процес на подривна подготовка
Използвайки независима патентована CVD технология с флуидизиран слой (патент №: ZL2024XXXXXXX), метил трихлоросилан (MTS) като прекурсор, за постигане на:
Чистота > 99.9995% (GDMS общ елементен анализ)
Съдържание на азот ≤0.09 ppm (без допълнително пречистване)
Размер на частиците 4-10 мм (традиционен метод на саморазпръскване < 2.5 мм)
Предимство на растежа на кристали
| индекс | конвенционален метод за саморазстилане SiC прах | Суровина за растеж на кристали Semixlab SiC |
| Плътността на микротубулите варираше | 103~ 104cm-2 | <300 cm-2 |
| Коефициентът на използване на суровините | % 30 40% | > 50% |
Опазване на околната среда и икономика
Нулево замърсяване при изпускане: солната киселина може да бъде неутрализирана до сол
Намаляване на разходите с 30%: суровината метилтрихлоросилан е доминиращият химикал в Китай
SiC кристали, отгледани с помощта на SiC кристална суровина за растеж
Бърз детайл:
1. Други наименования: CVD SiC блок; SiC фрагмент.
2. Приложение: Суровина за растеж на монокристали SiC.
3. Основни параметри: Чистота > 99.9995% (GDMS общ елементен анализ), Съдържание на азот ≤0.09 ppm (без допълнително пречистване), Размер на частиците 4-10 mm (традиционен метод на саморазпръскване < 2.5 mm).
Характеристики
Приложения
Суровина за растеж на монокристали SiC.
конкурентно предимство
1. Пробив в чистотата
Чистота ≥99.9995% (GDMS анализ на цели елементи). Съдържание на азот ≤0.09ppm е постигнато чрез химическо отлагане от пари (без вторично пречистване). Особено подходящ за нуждите на растежа на полуизолиращи SiC монокристали.
2. Оптимизация на размера и плътността на частиците
Големият размер на частиците (4-10 мм) значително подобрява капацитета на зареждане на крукпота (повече от 1.5 кг за същия обем) и намалява дефектите при капсулиране на въглерод по време на растежа на кристалите.
3. Предимството в цената е значително
Намалете разходите за суровини с 30%.
Използвайки метилтрихлоросилан (MTS) като прекурсор, разходите за добив на суровина са само 1/3 от традиционната схема с високочист силициев диоксид + графит. Степен на използване на суровината > 50% (при традиционния процес само 30%-40%).
4. Процес със затворен цикъл за опазване на околната среда
Нулеви емисии на замърсяване.
Солната киселина, страничен продукт от производството, генерира безвредни соли чрез реакция на неутрализация, като напълно избягва трите проблема с третирането на отпадъците, характерни за традиционните процеси (разходите за ецване/пречистване на отпадъчни газове са повече от 15%).
5. Скокове в качеството на кристалите
Плътността на микротубулите е < 300 cm-2.
Съотношението атоми Si/C в суровината е близко до 1:1 (отклонение при традиционния метод > 5%), което намалява дефектите от сегрегация на силиций по време на растежа на кристалите. Добивът на слитъци е 85%-92% (65%-75% от конкурентните продукти), което намалява загубите при рязане на монокристал при клиентите надолу по веригата.
